一：醫(yī)療器械怎么銷售技術(shù)百科問題1：醫(yī)療耗材銷售如何答：三、工作中的法律規(guī)定：銷售是銷售者與客戶利益的合理分配，爭(zhēng)取利益最大化銷售過程中始終尊重客戶和客戶利益銷售過程中需要實(shí)事求是銷售是一個(gè)團(tuán)隊(duì)協(xié)作下的個(gè)人負(fù)責(zé)銷售過程中統(tǒng)一表達(dá)公司的價(jià)值、
一：
晶振電容技術(shù)百科
問題1：晶振兩邊的電容要怎樣選
答：（2）：在許可范圍內(nèi)，C1,C2值越低，越接近，越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會(huì)增加起振時(shí)間。（3）：應(yīng)使C2值大于C1值，這樣可使上電時(shí)，加快晶振起振。晶振的外接電容，以及更詳細(xì)資料請(qǐng)參考揚(yáng)興科技官方。
問題2：在晶振下的負(fù)載電容,跟晶振有什么關(guān)系?
答：晶振的匹配電容，我們也稱負(fù)載電容，負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部有效電容之和，晶振所需要外接的電容，也是使晶振兩端的等效電容（電路之間的分布電容）等于負(fù)載電容，負(fù)載就是晶振起振的電容，這時(shí)候電容的作用就。
問題3：晶振要配多大電容?
答：應(yīng)滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以根據(jù)以上公式就可以。
問題4：?jiǎn)纹瑱C(jī)晶振的電容是什么類型的電容
答：?jiǎn)纹瑱C(jī)晶振的電容是瓷片電容。1、瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。2。
問題5：如何選擇合適的單片機(jī)晶振電容
答：晶振電容選擇的幾大標(biāo)準(zhǔn)（1）：在容許范圍內(nèi)，C1,C2值越低越好。（2）C值偏大雖有利于振蕩器的安穩(wěn)，但將會(huì)增加起振時(shí)間。（3）：應(yīng)使C2值大于C1值，這么可使上電時(shí)，加快晶振起振。晶振的起振原因分析在石英晶體。
問題6：晶振里面是不是就一個(gè)電容?
晶振電容答：晶振可是石英晶體切割出來的，利用加電后其自身產(chǎn)生的振動(dòng)（相當(dāng)微?。﹣懋a(chǎn)生震蕩波形，一般來講必須配合電容來使用不可以簡(jiǎn)單看作電容阿。
問題7：電容怎么做到和晶振起振的原來是什么
晶振電容答：使振蕩器容易起振。晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會(huì)差，關(guān)于負(fù)載電容的計(jì)算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。（資料出自YXC揚(yáng)興晶振官網(wǎng)）。
問題8：110592的晶振配多大電容
答：晶振在電路中使用時(shí),應(yīng)滿足cl=c+cscl為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值,c為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到),cs為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5pf所以。
問題9：無源晶振電容如何匹配
答：無源晶振的負(fù)載電容，其實(shí)也是匹配電容，所以，要根據(jù)晶振上給出的電容來匹配就可以了。一個(gè)12m晶振的負(fù)載電容為125pf，那么在匹配125pf的電容是，晶振輸出的才是12m。如果改成9pf或者20pf，那么無源晶振輸出的頻率會(huì)與。
問題10：請(qǐng)問單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容的作用是什么?
晶振電容答：叫負(fù)載電容。一般單片機(jī)的晶振工作于并聯(lián)諧振狀態(tài)，也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶振廠家提供的晶振要求負(fù)載電容選值的，換句話說，晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的，能最大限度的保證頻率值的誤差。也。
二：
晶振電容技術(shù)資料
問題1：晶振要配多大的電容比較合適?
晶振電容答：晶振在電路中使用時(shí),應(yīng)滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以。
問題2：在晶振下的負(fù)載電容,跟晶振有什么關(guān)系?
答：晶振的匹配電容，我們也稱負(fù)載電容，負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部有效電容之和，晶振所需要外接的電容，也是使晶振兩端的等效電容（電路之間的分布電容）等于負(fù)載電容，負(fù)載就是晶振起振的電容，這時(shí)候電容的作用就。
問題3：晶振旁邊接的是什么電容,起什么作用
答：晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會(huì)對(duì)頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會(huì)反而越高。
問題4：如何確定晶振的負(fù)載電容
晶振電容答：【晶振中的負(fù)載電容的作用】晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會(huì)對(duì)頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小。
問題5：無源晶振電容如何匹配
答：查它的型號(hào)手冊(cè)，有“負(fù)載電容”的規(guī)范。通常有3種規(guī)格：1、高頻晶振，30pF；2、低頻晶振，100pF；3、串聯(lián)晶振，無窮大（即不用電容）。根據(jù)振蕩需要，可以把負(fù)載電容分解為幾個(gè)，例如用100pF串聯(lián)47pF代替30pF負(fù)載電容。
問題6：32768HZ晶振兩端需要加電容嗎
答：每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。(2)一般的晶振的負(fù)載電容為15p或125p，這與兩端相同，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩。
問題7：電容怎么做到和晶振起振的原來是什么
答：使振蕩器容易起振。晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會(huì)差，關(guān)于負(fù)載電容的計(jì)算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。（資料出自YXC揚(yáng)興晶振官網(wǎng)）。
問題8：晶振旁的兩個(gè)小電容是什么作用
答：你好，晶振旁邊的小電容的作用很明顯，當(dāng)電路剛剛上電的時(shí)候，晶體是不會(huì)震蕩，由于小電容的存在，晶體會(huì)慢慢震動(dòng)，很快就到達(dá)規(guī)定的頻率，信號(hào)就輸入到單片機(jī)。小電容是輔助起震的作用。我喜歡單片機(jī)，希望采納哦^^。
問題9：110592的晶振配多大電容
答：在單片機(jī)里，可配30P電容，不是為了穩(wěn)定頻率?？梢晕⒄{(diào)頻率。
問題10：無源晶振外部?jī)啥说膶?duì)地電容,如何選擇
答：晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會(huì)對(duì)頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會(huì)反而越高。
三 ：
晶振電容名企推薦
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